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化学机械抛光液全品类产品矩阵

化学机械抛光是集成电路芯片造作过程中实现晶圆全驹旖均平展化的关键工艺,化学机械抛光液是化学机械抛光工艺过程中使用的重要化学资料。凭据抛光对象分歧,公司化学机械抛光液蕴含铜及铜反对层抛光液、介电资料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液和用于新资料新工艺的抛光液等产品。目前公司铜及铜反对层系列化学机械抛光液,能够满足国内芯片造作商的需要,并已在海表市场实现突破 ;其他系列化学机械抛光液已供给国内表多家芯片造作商,具体出产规 ;崞揪菘突枰拷械鹘。

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铜及铜反对层化学机械抛光液
用于集成电路造作工艺中铜互连的平展化,产品已在逻辑芯片、存储芯片等造程上量产使用。持续研发并验证用于下一代技术节点用的产品。
钨化学机械抛光液
用于集成电路造作工艺中金属钨的去除和平展化。目前钨抛光液在存储芯片和逻辑芯片领域的利用领域和市场份额持续稳重上升,公司紧跟行业当先客户的先进造程,提前进行技术平台的布局及技术能力的堆集, 多款钨抛光液在先进造程通过验证并顺利实现量产。
介电资料化学机械抛光液
用于集成电路造作工艺中介电资料如二氧化硅、氮化硅等的去除和平展化。产品已在逻辑芯片、存储芯片等造程上量产使用。
基于二氧化铈磨料的抛光液
用于集成电路造作工艺中浅槽隔离和其他必要高速去除二氧化硅的抛光工艺中 ;诙氧化铈磨料的抛光液拥有高速去除二氧化硅、高选择比、高平展化效能蹬着点,并且能够凭据客户必要开发多种新产品并顺利实现量产。
衬底化学机械抛光液
用于硅衬底资料的抛光,蕴含硅粗抛液、硅精抛液等产品系列。JDB电子财神捕鱼紧跟国内大硅片企业的发展和打造资料自主可控能力的趋向,充分相识客户的需要后定造化开发抛光液产品,公司研发的新型硅抛光液在客户端顺利上线。
用于新资料新工艺的化学机械抛光液
依附化学机械抛光液技术及产品平台,缜密共同客户造程需要,研造开发用于新技术、新工艺的化学机械抛光液。蕴含用于先进封装技术中的TSV通孔抛光液和混合键合抛光液,以及合用于聚合物和碳等新资料的抛光液。多个产品已实现量产供给。
职能性湿电子化学品当先技术节点多产品线布局

职能性湿电子化学品是指通过配方技术达到特殊职能、满足造作中特殊工艺需要的配方类湿电子化学品。目前,公司职能性湿电子化学品重要蕴含刻蚀后洗濯液、光刻胶剥离液、抛光后洗濯液和刻蚀液系列产品?淌春笙村骸⒐饪探喊离液、抛光后洗濯液已经宽泛利用于8英寸、12英寸晶圆的集成电路造作领域。

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刻蚀后洗濯液
铝刻蚀后洗濯液
产品利用于集成电路铝造程工艺金属线、通孔及金属焊盘(pad)蚀刻残留物去除,提供优异的蚀刻残留物去除能力、低成本。产品已在8英寸及12英寸逻辑芯片、存储芯片等领域量产。
铜刻蚀后洗濯液
利用于集成电路铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产品拥有优异的蚀刻残留物去除能力、低缺点、低成本。产品已经在逻辑芯片多个造程技术节点、3D NAND、DRAM等存储芯片、CIS等特色工艺及2.5D/3D工艺量产。
TiN硬掩?淌春笙村
用于集成电路28nm及以下先进工艺大马士革工艺,提供TiN 硬掩模去除及刻蚀后聚合物洗濯规划,产品已经批量量产。
刻蚀液
选择性刻蚀液
用于特殊工艺需要,提供SiGe/Si/SiN/Poly等分歧资料的选择性刻蚀规划。
CMP后洗濯液
铜化学机械抛光后洗濯
提供酸性、碱性铜抛光后洗濯液系统,用于分歧技术节点铜抛光后洗濯,有效去除抛光后残留物并 ;ね。产品宽泛利用于90~40nm成熟技术节点、28nm及以下先进技术节点,提供优异铜抛光后洗濯及基材 ;ぜ际豕婊。
光刻胶剥离液
光刻胶剥离液
利用于晶圆级封装、MEMS等先进封装领域厚膜光刻胶去除。产品拥有>100微米光刻胶去除能力、低成本。产品在8英寸及12英寸晶圆级封装(金凸点、焊锡凸点、柱状凸点)、MEMS、TSV等工艺量产。
固化后聚酰亚胺(PI)去除
利用于先进封装工艺,提供HD4100,HD8820,BL301聚酰亚胺固化后洗濯规划,产品已经批量量产。
助焊剂去除
用于先进封装工艺,提供锡银凸块回流后助焊剂洗濯规划,产品已经批量量产。
电镀液及其增长剂强化及提升电镀高端产品系列战术供给

电镀是将电解液中的金属离子通过电化学的方式沉积在阴极表表的工艺, 电镀液是电镀工艺中关键资料。目前,公司占有铜、镍、镍铁、锡银电镀液系列产品,提供集成电路造作、硅通孔及先进封装凸点、再散布线工艺等解决规划。利用在6英寸、8英寸、12英寸工艺。

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铜电镀液及增长剂
用于集成电路大马士革工艺、硅通孔、先进封装凸点及再散布线等工艺,提供高纯铜电镀规划。产品在先进封装已经批量量产,集成电路大马士革工艺及硅通孔工艺验证中。
镍电镀液
用于先进封装凸点等工艺,起到异种金属间的阻断作用。产品批量量产,提供高纯、可延展性、低应力解决规划。
镍铁电镀液
用于先进封装、MEMS霍尔器件等技术,产品已经实现量产。
锡银电镀液
用于先进封装凸点工艺等,提供低速及高速电镀规划。
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